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X9315TPI	IGBT MODULE, H BRIDGE 1200VIGBT MODULE, H BRIDGE 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 2; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:3.2V; Current, Ic continuous a max:16A; Current, Icm pulsed:32A; Power, Pd:1800W; Time,
X9315TPI-2.7	MOSFET MODULE, 6 PACK 100VMOSFET MODULE, 6 PACK 100V; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:75V; Case style:SEMITOP 3; Current, Id cont:80A; Current, Idm pulse:120A; Resistance, Rds on:0.0075R; Centres,
X9315TS	IGBT MODULE, 6 PACK 1200VIGBT MODULE, 6 PACK 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 2; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:2.1V; Current, Ic continuous a max:22A; Current, Icm pulsed:44A; Power, Pd:1600W; Time,
X9315TSZ	IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200V; Transistor type:IGBT; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic continuous a max:23A; Voltage, Vce sat max:3V; Case style:SEMITOP 2; Centres, fixing:38mm; Current, Ic av:23A; Current, Ic continuous b max:15A; RoHS Compliant: Yes
X9315TSZ-2.7	IGBT MODULE, DUAL 600V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 1; Voltage, Vceo:600V; Voltage, Vce sat max:2V; Current, Ic continuous a max:30A; Current, Icm pulsed:24A; Power, Pd:1400W; Time, rise:35ns; Centres, fixing:28.5mm;

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X9315TPI-2.7

MOSFET MODULE, 6 PACK 100VMOSFET MODULE, 6 PACK 100V; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:75V; Case style:SEMITOP 3; Current, Id cont:80A; Current, Idm pulse:120A; Resistance, Rds on:0.0075R; Centres,

X9315TS

IGBT MODULE, 6 PACK 1200VIGBT MODULE, 6 PACK 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 2; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:2.1V; Current, Ic continuous a max:22A; Current, Icm pulsed:44A; Power, Pd:1600W; Time,

X9315TSZ

IGBT MODULE, H BRIDGE, 1200V; Transistor type:IGBT; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic continuous a max:23A; Voltage, Vce sat max:3V; Case style:SEMITOP 2; Centres, fixing:38mm; Current, Ic av:23A; Current, Ic continuous b max:15A; RoHS Compliant: Yes

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IGBT MODULE, DUAL 600V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 1; Voltage, Vceo:600V; Voltage, Vce sat max:2V; Current, Ic continuous a max:30A; Current, Icm pulsed:24A; Power, Pd:1400W; Time, rise:35ns; Centres, fixing:28.5mm;

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X9315TP-2.7	功能描述:IC XDCP 32-TAP 100K 3WIRE 8-DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器系列:XDCP™ 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 接片:32 電阻（歐姆）:50k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 50 ppm/°C 存儲器類型:易失接口:3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減）電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TSOT-23-6 包裝:帶卷 (TR)
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X9315TS-2.7	功能描述:IC DIGITAL POT 100K 32TP 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器系列:XDCP™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:XDCP™ 接片:256 電阻（歐姆）:100k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 ±300 ppm/°C 存儲器類型:非易失接口:I²C（設(shè)備位址）電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR)

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X9315TP-2.7

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X9315TPI-2.7

X9315TS

功能描述:IC DIGITAL POT 100K 32TP 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器系列:XDCP™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:XDCP™ 接片:256 電阻（歐姆）:100k 電路數(shù):1 溫度系數(shù):標(biāo)準(zhǔn)值 ±300 ppm/°C 存儲器類型:非易失接口:I²C（設(shè)備位址）電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:14-TSSOP 包裝:帶卷 (TR)

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型號：	X9315TP
廠商：	INTERSIL CORP
元件分類：	數(shù)字電位計
英文描述：	IGBT MODULE, 6 PACK 1200VIGBT MODULE, 6 PACK 1200V; Transistor type:IGBT; Case style:SEMITOP 3; Voltage, Vceo:1200V; Voltage, Vce sat max:2.1V; Current, Ic continuous a max:15A; Current, Icm pulsed:30A; Power, Pd:2000W; Time,
中文描述：	100K DIGITAL POTENTIOMETER, INCREMENT/DECREMENT CONTROL INTERFACE, 32 POSITIONS, PDIP8
封裝：	PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù)：	9/13頁
文件大?。?/td>	73K
代理商：	X9315TP

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