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參數資料
| 型號： | KFG1216D2A-FEB5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 102/114頁 |
| 文件大小： | 1382K |
| 代理商： | KFG1216D2A-FEB5 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
102
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
ECD = Erase Command
EMA = Address of memory to be erased
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Erase Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
t
DS
t
DH
t
CH
CA
SA
SA
In
Progress
Complete
ECD
EMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CLK
V
IL
≈
≈
≈
≈
t
AH
t
AWES
t
BERS
INT
t
CH
t
CS
6.10 Block Erase Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FEB6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED6 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB5 | FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216D2A-FEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216D2A-FIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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