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參數(shù)資料
| 型號： | W29EE011P15N |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 332K |
| 代理商： | W29EE011P15N |
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W29EE011
- 12 -
8. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to GND Potential
-0.5 to +7.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°C
Storage Temperature
-65 to +150
°C
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential Except #OE
-0.5 to VDD +1.0
V
Transient Voltage (< 20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to VDD +1.0
V
Voltage on #OE Pin to Ground Potential
-0.5 to 12.5
V
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
8.2 DC Characteristics
8.2.1 Operating Characteristics
(VDD = 5.0V
±10%, GND = 0V, TA = 0 to 70° C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
ICC
#CE = #OE = VIL, #WE = VIH,
all I/Os open
Address inputs = VIL/VIH,
at f = 5 MHz
-
50
mA
Standby VDD Current
(TTL input)
ISB1
#CE = VIH, all I/Os open
Other inputs = VIL/VIH
-
2
3
mA
Standby VDD Current
(CMOS input)
ISB2
#CE = VDD -0.3V, all I/Os open
Other inputs = VDD -0.3V/GND
-
20
100
A
Input Leakage Current
ILI
VIN = GND to VDD
-
1
A
Output Leakage Current ILO
VIN = GND to VDD
-
10
A
Input Low Voltage
VIL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
VIH
-
2.0
-
VDD +0.5
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 2.1 mA
-
0.45
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -0.4 mA
2.4
-
V
8.2.2 Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU.READ
100
S
Power-up to Write Operation
TPU.WRITE
5
mS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE32K32-80G2UC | 32K X 32 EEPROM 5V MODULE, 80 ns, CQFP68 |
| W3EG7234S202JD3 | 32M X 72 DDR DRAM MODULE, DMA184 |
| WS512K32N-120H2Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, HIP66 |
| WF1M32BP-100G2TC5 | 4M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WE128K16-150CM5A | 128K X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CDMA40 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29EE011P-90 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
| W29EE011P90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE011P90N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|128KX8|CMOS|LDCC|32PIN|PLASTIC |
| W29EE011P90Z | 功能描述:IC FLASH 1MBIT 90NS 32PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W29EE011P-90Z | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8bit 90ns 32-Pin PLCC 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128KX8 FLASH 90NS PLCC32 |
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