參數(shù)資料
型號： W19B320ABBBG
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 31/53頁
文件大?。?/td> 479K
代理商： W19B320ABBBG
W19B320AT/B
Publication Release Date: December 27, 2005
- 37 -
Revision A4
8.3 DC Characteristics
8.3.1
CMOS Compatible
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Input Load Current
ILI
VIN =VSS to VDD, VDD = VDD (Max.)
-
±1.0
μA
A9 Input Load Current
ILIT
VDD = VDD (Max.), A9 = 12.5V
-
35
μA
Output Leakage Current
ILO
VOUT =VSS to VDD, VDD =VDD (Max.)
-
±1.0
μA
5 MHz
-
10
16
mA
#CE = VIL, #OE = VIH
Byte Mode
1 MHz
2
4
mA
5 MHz
10
16
mA
VDD Active Read Current
(Note 1, 2)
ICC1
#CE = VIL, #OE = VIH
Word Mode
1 MHz
2
4
mA
VDD Active Write Current
(Note 2, 3)
ICC2
#CE = VIL, #OE = VIH, #WE = VIL
-
15
30
mA
VDD Standby Current (Note2)
ICC3
#CE = VDD ±0.3V, #RESET = VDD
±0.3V
-
0.2
5
μA
VDD Reset Current (Note2)
ICC4
#RESET = VSS ±0.3V
-
0.2
5
μA
Automatic Sleep Mode
Current (note 2, 4)
ICC5
VIH = VDD
±0.3V, VIL = VSS ±0.3V
-
0.2
5
μA
Byte
-
21
45
VDD
Active Read-While-
Program Current (note 1, 2)
ICC6
#CE = VIL, #OE = VIH
Word
-
21
45
mA
Byte
-
21
45
VDD
Active Read-While-
Erase Current (note 1, 2)
ICC7
#CE = VIL, #OE = VIH
Word
-
21
45
mA
VDD
Active Program-While-
Erase-Suspended Current
(note 2, 5)
ICC8
#CE = VIL, #OE = VIH
-
17
35
mA
ACC Pin
5
10
mA
ACC Accelerated Program
Current, Word or Byte
IAcc
#CE = VIL, #OE = VIH
VDD Pin
15
30
mA
Input Low Voltage
VIL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
VIH
-
0.7x VDD
-
VDD +0.3
V
Voltage for #WP/ACC Sector
Protect/ Unprotect and
Program Acceleration
VHH
VDD =3.0V
±10%
8.5
-
9.5
V
Voltage for AUTOSELECT
and Temporary Sector
Unprotected
VID
VDD =3.0V
±10%
8.5
-
12.5
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4.0 mA, VDD = VDD (Min.)
-
0.45
V
VOH1
IOH = -2.0 mA, VDD = VDD (Min.)
0.85 VDD
-
V
Output High Voltage
VOH2
IOH = -100
μA, VDD = VDD (Min.)
VDD -0.4
-
Low VDD Lock-Out Voltage
VLKO
2.3
-
2.5
V
Notes:
1. The ICC current listed is typically less than 2 mA/ MHz, with #OE at VIH.
2. Maximum ICC specifications are tested with VDD = VDD max.
3. ICC active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
4. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for tACC + 30 ns. Typical sleep mode
current is200 nA.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25X20-VSSI-G 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
WS-512K8-70PI 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, DMA32
WS512K32-85G4TQ 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68
WMS512K8B-25FECEA 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDFP32
WMS512K8B-25FEIE 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDFP32
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參數(shù)描述
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W19B320ATB 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M × 8/2M × 16 BITS 3V FLEXIBLE BANK FLASH MEMORY
W19B320ATB7H 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W19B320ATT7H 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
W19B320B 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory
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