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參數(shù)資料
| 型號： | VWO85-16IO1 |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE|AC SWITCH|TRIPLE|FULLY-CNTLD|1.6KV V(RRM)|27A I(T) |
| 中文描述： | 可控硅模塊|交流開關(guān)|三聯(lián)|全CNTLD | 1.6KV五（無線資源管理）| 27A條疙（T） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | VWO85-16IO1 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
VWO 85
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
I
D, IR
T
VJ = 125°C; VR = VRRM; VD = VDRM
5mA
V
T
I
T
= 85 A; T
VJ = 25°C
1.67
V
V
T0
For power-loss calculations only
0.85
V
r
T
11
m
W
V
GT
V
D = 6 V;
T
VJ = 25°C
1.5
V
T
VJ = -40°C
1.6
V
I
GT
V
D = 6 V;
T
VJ = 25°C
100
mA
T
VJ = -40°C
200
mA
V
GD
T
VJ=125°C;
V
D = 2/3 VDRM
0.2
V
I
GD
5mA
I
L
T
VJ = 25°C; tP = 10 ms
450
mA
I
G = 0.45 A; diG/dt = 0.45 A/ms
I
H
T
VJ = 25°C; VD = 6 V; RGK =
200
mA
t
gd
T
VJ = 25°C; VD = 1/2 VDRM
2
ms
I
G = 0.45 A; diG/dt = 0.45 A/ms
t
q
T
VJ=125°C; IT = 20 A, tP = 200 ms; di/dt = -10 A/ms
typ.
150
ms
V
R = 100 V; dv/dt = 15 V/ms; VD = 2/3 VDRM
R
thJC
per thyristor
0.92
K/W
per module
0.154
K/W
R
thJK
per thyristor
1.22
K/W
per module
0.204
K/W
d
S
Creeping distance on surface
12.7
mm
d
A
Creepage distance in air
9.4
mm
a
Max. allowable acceleration
50
m/s2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
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