參數(shù)資料
型號： VUO28-08NO7
廠商： IXYS CORP
元件分類： 橋式整流
中文描述： 3 PHASE, 28 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： MODULE-5
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： VUO28-08NO7
2006 IXYS All rights reserved
1 - 1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0610
VUO 28
V
RSM
V
RRM
Type
V
900
800
VUO 28-08NO7
1300
1200
VUO 28-12NO7
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
dAV
①
T
C = 100°C, module
28
A
I
FSM
T
VJ = 45°C
t = 10 ms (50 Hz), sine
100
A
V
R = 0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
106
A
T
VJ = TVJM
t = 10 ms (50 Hz), sine
85
A
V
R = 0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
90
A
I2t
T
VJ = 45°C
t = 10 ms (50 Hz), sine
50
A2s
V
R = 0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
47
A2s
T
VJ = TVJM
t = 10 ms (50 Hz), sine
36
A2s
V
R = 0
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
33
A2s
T
VJ
-40...+150
°C
T
VJM
150
°C
T
stg
-40...+125
°C
V
ISOL
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
V~
I
ISOL
≤ 1 mA
t = 1 s
3000
V~
M
d
Mounting torque (M4)
1.5 - 2
Nm
14 - 18
lb.in.
Weight
typ.
18
g
I
dAV
= 28 A
V
RRM = 800-1200 V
Symbol
Conditions
Characteristic Values
I
R
V
R
= V
RRM
T
VJ = 25°C
≤ 0.3
mA
V
R
= V
RRM
T
VJ = TVJM
≤
5mA
V
F
I
F
= 7 A
T
VJ = 25°C
≤ 1.12
V
V
T0
For power-loss calculations only
0.8
V
r
T
40
m
R
thJC
per diode; DC current
2.3
K/W
per module
0.39
K/W
R
thJH
per diode, DC current
2.8
K/W
per module
0.47
K/W
d
S
Creeping distance on surface
11.2
mm
d
A
Creepage distance in air
9.7
mm
a
Max. allowable acceleration
50
m/s2
Features
Package with DCB ceramic
base plate
Isolation voltage 3000 V~
Planar passivated chips
Low forward voltage drop
Leads suitable for PC board soldering
Applications
Supplies for DC power equipment
Input rectifiers for PWM inverter
Battery DC power supplies
Field supply for DC motors
Advantages
Easy to mount with two screws
Space and weight savings
Improved temperature and power
cycling capability
Small and light weight
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated
① for resistive load at bridge output.
Three Phase Rectifier Bridge
Preliminary data
N
A
H
K
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VV-701-DAE-1FAB-20M4800000 VCXO, CLOCK, 20.48 MHz, CMOS OUTPUT
VV-701-DAE-2FAB-54M0000000 VCXO, CLOCK, 54 MHz, CMOS OUTPUT
VV-701-DAE-3KAE-24M7040000 VCXO, CLOCK, 24.704 MHz, CMOS OUTPUT
VV-701-DAT-1KAE-77M7600000 VCXO, CLOCK, 77.76 MHz, CMOS OUTPUT
VV-701-DAT-2EAE-18M0000000 VCXO, CLOCK, 18 MHz, CMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VUO28-12NO7 功能描述:橋式整流器 28 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
VUO30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Rectifier Bridge
VUO30-08NO3 功能描述:橋式整流器 30 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
VUO30-12NO3 功能描述:橋式整流器 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
VUO30-14NO3 功能描述:橋式整流器 30 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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