參數(shù)資料
型號(hào)： VSMB3940X01-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電檢測器
英文描述： Infrared LED, 2.4 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm, GREEN, PLASTIC, SMD, LCC-2
中文描述： Infrared Emitters High Speed Emitter 5V 160mW 940nm 60Deg
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 134K
代理商： VSMB3940X01-GS08
www.vishay.com
2
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Document Number: 81894
Rev. 1.5, 03-Mar-10
VSMB3940X01
Vishay Semiconductors
High Speed Infrared Emitting Diode,
940 nm, GaAlAs Double Hetero
Note
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Fig. 1 - Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature
Fig. 2 - Forward Current Limit vs. Ambient Temperature
Note
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Reverse voltage
Forward current
Peak forward current
Surge forward current
Power dissipation
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature range
Soldering temperature
TEST CONDITION
SYMBOL
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
amb
T
stg
T
sd
VALUE
5
100
200
1.5
160
100
- 40 to + 85
- 40 to + 100
260
UNIT
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100 μs
t
p
= 100 μs
t
≤
5 s, 2 mm from case
J-STD-051, leads 7 mm,
soldered on PCB
Thermal resistance junction/ambient
R
thJA
250
K/W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
21343
T
amb
- Ambient Temperature (°C)
P
V
R
thJA
= 250 K/W
0
20
40
60
80
100
120
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21344
R
thJA
= 250 K/W
T
amb
- Ambient Temperature (°C)
I
F
BASIC CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 μs
I
F
= 1 mA
I
F
= 100 mA
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0 mW/cm
2
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 μs
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 mA
I
F
= 100 mA
SYMBOL
V
F
V
F
TK
VF
TK
VF
I
R
C
J
I
e
I
e
φ
e
TK
φ
e
TK
φ
e
λ
p
Δλ
TK
λ
p
t
r
t
f
f
c
d
MIN.
1.15
TYP.
1.35
2.2
- 1.8
- 1.1
MAX.
1.6
UNIT
V
V
mV/K
mV/K
μA
pF
mW/sr
mW/sr
mW
%/K
%/K
deg
nm
nm
nm/K
ns
ns
MHz
mm
Forward voltage
Temperature coefficient of V
F
Reverse current
Junction capacitance
10
70
13
130
40
- 1.1
- 0.51
± 60
940
25
0.25
15
15
24
0.5
Radiant intensity
7
21
Radiant power
Temperature coefficient of
φ
e
Angle of half intensity
Peak wavelength
Spectral bandwidth
Temperature coefficient of
λ
p
Rise time
Fall time
Cut-off frequency
Virtual source diameter
I
F
= 30 mA
I
F
= 30 mA
I
F
= 30 mA
I
F
= 100 mA, 20 % to 80 %
I
F
= 100 mA, 20 % to 80 %
I
DC
= 70 mA, I
AC
= 30 mA pp
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PDF描述
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VS-MBR0530PBF 功能描述:肖特基二極管與整流器 0.5 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
VS-MBR1035PBF 功能描述:肖特基二極管與整流器 10 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
VS-MBR1045PBF 功能描述:肖特基二極管與整流器 10 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
VS-MBR10T100 功能描述:肖特基二極管與整流器 10 Amp 100 Volt Submicron Trench RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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