參數(shù)資料
型號(hào)： VSKC250-12
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 250 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, MAGN-A-PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 257K
代理商： VSKC250-12
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93581
2
Revision: 30-Oct-08
VSK.250, VSK.270, VSK.320 Series
Vishay High Power Products
Standard Recovery Diodes, 250 to 320 A
(MAGN-A-PAKTM Power Modules)
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VOLTAGE RATINGS
TYPE NUMBER
VOLTAGE
CODE
VRRM, MAXIMUM REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE
PEAK REVERSE VOLTAGE
V
IRRM MAXIMUM
AT 150 °C
mA
VSK.250-
VSK.270-
VSK.320-
04
400
500
50
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
VSK.270-
30
3000
3100
FORWARD CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VSK.250
VSK.270
VSK.320
UNITS
Maximum average forward
current at case temperature
IF(AV)
180° conduction, half sine wave
250
270
320
A
100
°C
Maximum RMS forward current
IF(RMS)
As AC switch
393
424
502
A
Maximum peak, one-cycle
forward, non-repetitive
surge current
IFSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
7015
8920
10 110
t = 8.3 ms
7345
9340
10 580
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
5900
7500
8500
t = 8.3 ms
6180
7850
8900
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
246
398
511
kA2s
t = 8.3 ms
225
363
466
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
174
281
361
t = 8.3 ms
159
257
330
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
2460
3980
5110
kA2
√s
Low level value of
threshold voltage
VF(TO)1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.79
0.74
0.69
V
High level value of
threshold voltage
VF(TO)2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.92
0.87
0.86
Low level forward
slope resistance
rf1
(16.7 % x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)),
TJ = TJ maximum
0.63
0.94
0.59
m
Ω
High level forward
slope resistance
rf2
(I >
π x I
F(AV)), TJ = TJ maximum
0.49
0.81
0.44
Maximum forward voltage drop
VFM
IFM = π x IF(AV), TJ = TJ maximum, 180° conduction
Average power = VF(TO) x IF(AV) + rf x (IF(RMS))2
1.29
1.48
1.28
V
BLOCKING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum peak reverse leakage current
IRRM
TJ = 150 °C
50
mA
RMS insulation voltage
VINS
50 Hz, circuit to base, all terminals shorted, t = 1 s
3000
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VSKC270-04 270 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
VSKC270-30 270 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
VSKC320-16 320 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
VSKC320-30 320 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
VSKC71/08P 80 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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