型號(hào): | VP2204N2 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-39 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 40V的五(巴西)直| 1.6AI(四)| TO - 39封裝 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 456K |
代理商: | VP2204N2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VP2206N2 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-39 |
VP2204ND | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
VP2204N3 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 650MA I(D) | TO-92 |
VP2206N3 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 650MA I(D) | TO-92 |
VP2206 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V,0.9Ω,P溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VP2204N3 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 650MA I(D) | TO-92 |
VP2204ND | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
VP2206 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱(chēng):SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
VP2206N2 | 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VP2206N3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.9Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |