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參數(shù)資料
| 型號： | VP0808B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | TO-39 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 80V的五（巴西）直資| TO - 39封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | VP0808B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VP0808M | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 370MA I(D) | TO-237 |
| VP1008B | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors |
| VP1008M | P-channel Enhancement-mode MOSFET transistors |
| VP1008CSM4 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| VP1008L | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VP0808B-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 80V 0.88A 3PIN TO-205AD - Bulk |
| VP0808B-E3 | 功能描述:MOSFET 80V 3A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VP0808CHP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode D-MOS POWER FETs |
| VP0808L | 功能描述:MOSFET 80V 0.28A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VP0808L-G | 功能描述:MOSFET 80V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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