參數(shù)資料
型號： VNS7NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/29頁
文件大?。?/td> 488K
代理商： VNS7NV04
9/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
1
Static Drain-Source On Resistance Vs. Id
Turn On Current Slope
Transfer Characteristics
Turn On Current Slope
Input Voltage Vs. Input Charge
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Vin(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Idon(A)
Vds=13.5V
Tj=150oC
Tj=25oC
Tj=-40oC
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000 1100
Rg(ohm)
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
di/dt(A/us)
Vin=3.5V
Vdd=15V
Id=3.5A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
Id(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
Rds(on) (mOhm)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=5V
Vin=3.5V
Vin=3.5V
Vin=5V
Vin=5V
Vin=3.5V
0
5
10
15
20
25
Qg(nC)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Vin(V)
Vds=12V
Id=3.5A
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Rg(ohm)
0
50
100
150
200
250
300
dv/dt(V/us)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=3.5A
Turn off drain source voltage slope
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Rg(ohm)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
di/dt(A/us)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=3.5A
相關PDF資料
PDF描述
VNS7NV0413TR THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes
VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS009D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
VNT009D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNS7NV0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS7NV04-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS7NV04P-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II Low Side 60mOhm 6A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 60mOhm 6A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS7NV04TR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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