參數(shù)資料
型號： VNS3NV04D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： VNS3NV04D
3/14
VNS3NV04D
THERMAL DATA
(*)
When mounted on a standard single-sided FR4 board with 50mm
2
of Cu (at least 35
μ
m thick) connected to all DRAIN pins of the relative
channel.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40°C < T
j
< 150°C, unless otherwise specified)
(Per each device)
ON
Symbol
R
thj-lead
R
thj-amb
Parameter
Value
30
80(*)
Unit
°C/W
°C/W
Thermal Resistance Junction-lead (per channel)
Thermal Resistance Junction-ambient
MAX
MAX
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CLAMP
Drain-source Clamp
Voltage
Drain-source Clamp
Threshold Voltage
Input Threshold Voltage
Supply Current from Input
Pin
Input-Source Clamp
Voltage
Zero Input Voltage Drain
Current (V
IN
=0V)
V
IN
=0V; I
D
=1.5A
40
45
55
V
V
CLTH
V
IN
=0V; I
D
=2mA
36
V
V
INTH
V
DS
=V
IN
; I
D
=1mA
0.5
2.5
V
I
ISS
V
DS
=0V; V
IN
=5V
100
150
μ
A
V
INCL
I
IN
=1mA
I
IN
=-1mA
V
DS
=13V; V
IN
=0V; T
j
=25°C
V
DS
=25V; V
IN
=0V
6
-1.0
6.8
8
-0.3
30
75
V
I
DSS
μ
A
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
120
240
Unit
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
IN
=5V; I
D
=1.5A; T
j
=25°C
V
IN
=5V; I
D
=1.5A
m
OFF
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS7NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV0413TR THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes
VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS009D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNS3NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04DTR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*