參數(shù)資料
型號： VNL5050S5-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 電源管理
英文描述： POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 3/32頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： VNL5050S5-E
VNL5050N3-E / VNL5050S5-E
Electrical characteristics
Doc ID 15917 Rev 4
Table 13.
Switching characteristics(1)
1.
Symbol
Parameter
Test conditions
SOT-223(2)
2.
3.5 V
≤ V
supply = VIN ≤ 5.5 V
SO-8
Unit
Min.
Typ.
Max Min.
Typ.
Max.
td(ON)
Turn-on delay time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
(3)
3.
-6-
-
6
-
s
td(OFF) Turn-off delay time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-20
-
20
-
s
tr
Rise time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-
10
-
10
-
s
tf
Fall time
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-
10
-
10
-
s
WON
Switching energy
losses at turn-on
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-0.04-
-
0.04
-
mJ
WOFF
Switching energy
losses at turn-off
RL = 6.5 Ω,
VCC = 13 V
-0.06-
-
0.06
-
mJ
Table 14.
Protection and diagnostics
Symbol
Parameter
Test conditions(1)
1.
Vsupply = Vinput in VNL5050N3-E version
Min.
Typ.
Max.
Unit
IlimH
DC short-circuit current
VDS = 13 V;
Vsupply = VIN =5V
19
27
38
A
IlimL
Short-circuit current
during thermal cycling
VDS = 13 V; TR < Tj < TTSD;
Vsupply = VIN =5V
11
A
tdlimL
Step response current
limit
VDS = 13 V; Vinput = 5 V
44
s
TTSD
Shutdown temperature
-
150
175
200
°C
TR
(2)
2.
Valid for VNL5050S5-E option
Reset temperature
-
TRS + 1 TRS + 5
°C
TRS
(3)
Thermal reset of
STATUS
-
135
°C
THYST
Thermal hysteresis
(TTSD - TR)
-7
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0M999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNL5050S5TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC 19A OMNIFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5090N3TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET III Low Side 13A 41V 90mOhm RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5090S5TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET III Driver Low-Side ESD VIPower RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNL5160N3-E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:OMNIFET III fully protected low-side driver
VNL5160N3TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double Ch High Side Driver analog currnt RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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