參數(shù)資料
型號： VND5025AK-E
廠商： 意法半導體
英文描述： Double channel high side driver with analog current sense for automotive applications
中文描述： 雙通道模擬汽車應用的電流檢測的高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 8/32頁
文件大小： 577K
代理商： VND5025AK-E
VND5025AK-E
Electrical specification
9/33
2.2
Thermal data
2.3
Electrical characteristics
8V<V
CC
<36V; -40°C<T
j
<150°C, unless otherwise specified.
V
ESD
Electrostatic Discharge
(Human Body Model: R = 1.5k
; C = 100pF)
- Input
- Current sense
- CS_DIS
- Output
- V
CC
4000
2000
4000
5000
5000
V
V
V
V
V
V
ESD
Charge device model (CDM-AEC-Q100-011)
750
V
T
j
Junction operating temperature
-40 to 150
°C
T
stg
Storage temperature
-55 to 150
1.
See
Section 3.4
for details.
Table 4.
Absolute maximum ratings (continued)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Table 5.
Thermal data
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
R
thj-case
Thermal resistance junction-case (MAX) (with one channel ON)
1.35
°C/W
R
thj-amb
Thermal resistance junction-ambient (MAX)
See
Figure 29
Table 6.
Power section
Symbol
Parameter
Test conditions
Min Typ Max Unit
V
CC
Operating supply
voltage
4.5
13
36
V
V
USD
Undervoltage shutdown
3.5
4.5
V
USDhyst
Undervoltage shut-
down hysteresis
0.5
R
ON
On state resistance
(1)
I
OUT
= 3A; T
j
= 25°C
25
m
I
OUT
= 3A; T
j
= 150°C
50
I
OUT
= 3A; V
CC
= 5V; T
j
= 25°C
35
V
clamp
Clamp voltage
I
S
= 20 mA
41
46
52
V
I
S
Supply current
Off State; V
CC
= 13V; T
j
= 25°C;
V
IN
= V
OUT
= V
SENSE
= V
CSD
= 0V
2
(2)
5
(2)
μA
On State; V
CC
= 13V; V
IN
= 5V;
I
OUT
= 0A
3
6
mA
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PDF描述
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