參數(shù)資料
型號(hào)： VND1NV04
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 9/18頁(yè)
文件大?。?/td> 392K
代理商： VND1NV04
9/18
VND1NV04 / VNN1NV04 / VNS1NV04
Static Drain-Source On Resistance Vs. Id
Turn On Current Slope
Transfer Characteristics
Turn On Current Slope
Input Voltage Vs. Input Charge
Turn off drain source voltage slope
0
500
1000
1500
2000
2500
Rg(ohm)
0
1
2
3
4
5
6
di/dt(A/us)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=1.5A
0
500
1000
1500
2000
2500
Rg(ohm)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
di/dt(A/us)
Vin=3.5V
Vdd=15V
Id=1.5A
0
1
2
3
4
5
6
Qg (nC)
0
1
2
3
4
5
6
Vin (V)
Vds=12V
Id=0.5A
0
500
1000
1500
2000
2500
Rg(ohm)
0
50
100
150
200
250
300
350
dv/dt(V/us)
Vin=5V
Vdd=15V
Id=0.5A
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.75
5
Vin(V)
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
Idon(A)
Vds=13.5V
Tj=150oC
Tj=25oC
Tj=-40oC
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
Id(A)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Rds(on) (mohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=5V
Vin=3.5V
Vin=3.5V
Vin=5V
Vin=5V
Vin=3.5V
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PDF描述
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