參數(shù)資料
型號(hào): VN10LPSTZ
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 270mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
功率 - 最大: 625mW
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-92-3
包裝: 帶盒(TB)