參數(shù)資料
型號(hào)： VN10LP
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
中文描述： 270 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
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代理商： VN10LP
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – NOVEMBER 2005
FEATURES
*60 Volt V
DS
*R
DS(on)=5
REFER TO ZVN3306A FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Drain-Source Voltage
VDS
60
V
Continuous Drain Current at Tamb = 25°C
ID
270
mA
Pulsed Drain Current
IDM
3A
Gate Source Voltage
VGS
± 20
V
Power Dissipation at Tamb = 25°C
Ptot
625
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source
Breakdown Voltage
BV
DSS
60
V
ID=100A, VGS=0V
Gate-Source Threshold
Voltage
VGS(th)
0.8
2.5
V
ID=1mA, VDS= VGS
Gate Body Leakage
IGSS
100
nA
VGS=± 20V, VDS=0V
Zero Gate Voltage
Drain Current (1)
IDSS
10
A
VDS=60 V, VGS=0V
On State Drain
Current(1)
ID(on)
750
mA
VDS=15 V, VGS=10V
Static Drain Source On
State Resistance (1)
RDS(on)
5.0
7.5
VGS=10V,ID=500mA
VGS=5V, ID=200mA
Forward
Transconductance
(1)(2)
gfs
100
mS
VDS=15V,ID=500mA
Input Capacitance (2)
Ciss
60
pF
Common Source
Output Capacitance (2)
Coss
25
pF
VDS=25 V, VGS=0V
f=1MHz
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Crss
5pF
Turn-On Time (2)(3)
t(on)
10
ns
VDD ≈15V, ID=600mA
Turn-Off Time (2)(3)
t(off)
10
ns
E-Line
TO92 Compatible
VN10LP
3-90
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNC1L-1A
VND5E012AYTR-E SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
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