參數(shù)資料
型號： VN10KC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： VN10KC
VN10KC
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
11-2
Document Number: 70967
S-00619—Rev. B, 03-Apr-00
Limits
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
a
Min
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 100 A
120
60
V
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
1.2
0.8
2.5
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= 15 V
1
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
10
A
T
J
= 125 C
500
On-State Drain Current
b
I
D(on)
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
1
0.75
A
D i S
Drain-Source On-Resistance
O R
b
V
GS
= 5 V, I
D
= 0.2 A
4
7.5
r
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
3
5
T
J
= 125 C
5.6
9
Forward Transconductance
b
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
300
100
mS
Common Source Output Conductance
b
g
os
V
DS
= 7.5 V, I
D
= 0.05 A
0.2
Dynamic
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
25 V V
0 V f
38
60
Output Capacitance
C
oss
16
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
2
5
Switching
c
Turn-On Time
t
ON
V
DD
= 15 V, R
L
= 23
I
D
0.6 A, V
= 10 V
R
G
= 25
7
10
ns
Turn-Off Time
t
OFF
9
10
Notes
a.
b.
c.
For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
Pulse test: PW
300 s duty cycle
Switching time is essentially independent of operating temperature.
VNDP06
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN10KLS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V，夾斷電流0.31A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VN10KM N-Channel Enhancement Mode
VN10KM N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
VN10KN N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs
VN10K N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN10KCSM4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 170MA I(D) | LLCC
VN10KC-T1 功能描述:MOSFET 60V 0.31A 0.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN10KE 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN10KE-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-206AC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.17A 3PIN TO-206AC - Bulk
VN10KLS 功能描述:MOSFET 60V 0.31A 0.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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