參數(shù)資料
型號： VN10K
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,N溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，?溝道增強型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 31K
代理商： VN10K
7-187
VN10K
Typical Performance Curves
Output Characteristics
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
(volts)
I
D
(
I
D
(
Saturation Characteristics
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
(volts)
Maximum Rated Safe Operating Area
1
1000
100
10
0.1
1.0
10
0.01
V
DS
(volts)
I
D
(
Switching Waveform
I
(
10
5
0
15
5
0
50
10
20
t – Time(ns)
30
Transconductance vs. Drain Current
250
200
150
100
50
0
0
1000
200
400
600
800
G
F
(
I
D
(mA)
Power Dissipation vs. Case Temperature
0
150
100
50
2
1
125
75
25
T
C
(
°
C)
P
D
(
TO-92
V
DS
= 10V
300
μ
s, 2%
Duty Cycle
Pulse Test
TO-92 (DC)
0
10
20
30
50
40
VGS =10V
6V
5V
4V
2V
0
2
4
6
10
8
VGS =10V
6V
4V
2V
3V
0
10
40
O
(
5V
3V
9V
8V
7V
0
0
0
TC = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN10LDA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
VN10LDB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP
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VN10LE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-52
ZVN2106D Transient Voltage Suppressor Diodes
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VN10KC-T1 功能描述:MOSFET 60V 0.31A 0.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN10KE 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VN10KE-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin TO-206AC 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.17A 3PIN TO-206AC - Bulk
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