參數(shù)資料
型號: VN02N
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: High Side Smart Power Solid State Relay(高邊智能化功率固態(tài)繼電器)
中文描述: 高邊智能電源固態(tài)繼電器(高邊智能化功率固態(tài)繼電器)
文件頁數(shù): 2/11頁
文件大小: 189K
代理商: VN02N
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
60
V
I
OUT
Output Current (cont.)
6
A
I
R
Reverse Output Current
-6
A
I
IN
Input Current
±
10
-4
±
10
2000
mA
-V
CC
Reverse Supply Voltage
V
I
STAT
Status Current
mA
V
ESD
Electrostatic Discharge (1.5 k
, 100 pF)
Power Dissipation at T
c
25
o
C
Junction Operating Temperature
V
P
tot
29
W
o
C
o
C
T
j
-40 to 150
T
stg
Storage Temperature
-55 to 150
CONNECTION DIAGRAM
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
VN02N
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN03(011Y) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Dark Blue; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
VN0300LRLRA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92
VN0300LRLRE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-92
VN0300M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-237
VN0300L N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors(最小漏源擊穿電壓30V,夾斷電流0.64A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN02N(011Y) 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 High Side Smart Powr RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VN02N(012Y) 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 HIGH SIDE SMART PWR RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關(guān)閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VN02N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH TO-220-5
VN02N011Y 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
VN02N012Y 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Single Peripheral Driver