- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄225530 > VN0104N6 TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 560MA I(D) | DIP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | VN0104N6 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 560MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣| N溝道| 40V的五（巴西）直| 560MA（丁）|雙酯 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 249K |
| 代理商： | VN0104N6 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN02N011Y | Single Peripheral Driver |
| VN02N012Y | Single Peripheral Driver |
| VN05H(011Y) | PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|BIPOLAR/MOS|ZIP|5PIN|PLASTIC |
| VN05H(012Y) | PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|BIPOLAR/MOS|SIP|5PIN|PLASTIC |
| VN05H011Y | Single Peripheral Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN0106 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
| VN0106N3 | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN0106N3 (P003) | 制造商:Supertex Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 T/R |
| VN0106N3-G | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN0106N3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
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