參數(shù)資料
型號(hào)： VMB10-12F
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： 0.380 INCH, FM-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 17K
代理商： VMB10-12F
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
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CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CES
I
C
= 50 mA
BV
CEO
I
C
= 15 mA
BV
EBO
I
E
= 2.5 mA
I
CBO
V
CB
= 12.5 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 250 mA
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
18
4.0
5.0
UNITS
V
V
V
mA
---
1.0
200
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0 MHz
65
pF
P
G
η
C
V
CC
= 12.5 V P
OUT
= 10 W f = 88 MHz
13
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VMB10-12F
DESCRIPTION:
The
ASI VMB10-12F
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
2.0 A
36 V
18 V
36 V
4.0 V
20 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
5.0
O
C/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
ORDER CODE: ASI10741
MINIMUM
inches / mm
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.980 / 24.89
H
.160 / 4.06
.180 / 4.57
.280 / 7.11
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.105 / 2.67
.085 / 2.16
I
J
.240 / 6.10
.255 / 6.48
.785 / 19.94
F
B
G
.125
.125 NOM.
FULL R
D
E
C
H
.112 x 45°
A
I
J
.004 / 0.10
.006 / 0.15
.720 / 18.29
.730 / 18.54
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PDF描述
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VMB40-12S NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:5.0 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:5.0 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 4.0 V))
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VMB10-2081 功能描述:RF 連接器 Smb Crimp Plug For RG178 RG196 RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 產(chǎn)品:Connectors 射頻系列:BNC 型式:Jack (Female) 極性: 觸點(diǎn)電鍍:Gold 阻抗: 端接類(lèi)型:Solder 主體類(lèi)型:Straight Bulkhead 電纜類(lèi)型:
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