參數(shù)資料
型號： VLB100-12
廠商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： 0.500 INCH, FM-4
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 18K
代理商： VLB100-12
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 50 mA
BV
CES
I
C
= 100 mA
BVCEO
I
C
= 100 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 12.5 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 5.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
36
18
4.0
20
UNITS
V
V
V
V
mA
---
15
---
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0 MHz
400
pF
P
G
η
C
V
CC
= 12.5 V P
OUT
= 100 W f = 50 MHz
7.0
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VLB100-12
DESCRIPTION:
The
ASI VLB100-12
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
20 A
V
CBO
36 V
V
CEO
18 V
V
EBO
4.0 V
P
DISS
270 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
T
J
T
STG
-65
O
C to +150
O
C
θ
JC
0.65
O
C/W
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
ORDER CODE: ASI10740
MINIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.255 / 6.48
.980 / 24.89
.7.30 / 18.54
.230 / 5.84
H
.003 / 0.08
.007 / 0.18
DIM
K
L
I
J
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.980 / 24.89
.110 / 2.79
.175 / 4.45
1.050 / 26.67
H
I
K
J
.112x45°
FULL R
C
E
B
G
D
F
A
L
.125 NOM.
.125 / 3.18
.495 / 12.57
.505 / 12.83
.280 / 7.11
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PDF描述
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VLF-105 Coaxial Low Pass Filter DC to 105 MHz
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參數(shù)描述
VLB10050HT-R12M 功能描述:120nH Unshielded Wirewound Inductor 31A 0.35 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:120nH 容差:±20% 額定電流:31A 電流 - 飽和值:68A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:0.35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.362" 長 x 0.264" 寬（9.20mm x 6.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
VLB10050HT-R15M 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 31A 0.35 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±20% 額定電流:31A 電流 - 飽和值:52A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:0.35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.362" 長 x 0.264" 寬（9.20mm x 6.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
VLB10050HT-R20M 功能描述:200nH Unshielded Wirewound Inductor 31A 0.35 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:200nH 容差:±20% 額定電流:31A 電流 - 飽和值:37A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:0.35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.362" 長 x 0.264" 寬（9.20mm x 6.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
VLB10050HT-R30N 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 21A 0.35 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±20% 額定電流:21A 電流 - 飽和值:31A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:0.35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.362" 長 x 0.264" 寬（9.20mm x 6.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
VLB10-12F 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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