參數(shù)資料
型號(hào)： VIO500-12S
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|獨(dú)立| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 601余（丙）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 42K
代理商： VIO500-12S
VIP
2/3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
=25
)
C, unless otherwise specified.) GSAC-VIP/x
AGENCY APPROVALS
The charger is certified by competent agencies to comply with most popular safety and EMC requirements, in-
cluding but limited to:
EN60950
UL1950
ETS300-342-1
TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
i
Input Voltage
90
264
V
rms
V
o
Output Voltage limit
No load
4.85
5.1
5.35
V
V
o
Output Voltage
I
o
=560 mA
4.7
5
5.3
V
I
o
Output Current limit
0
<V
o
<V
limit
560
700
840
mA
V
or
Output Ripple
I
o
=limit V
o
=4V
100
mVpp
V
is
Isolation Voltage
Input to Output, t=60s (EN60950)
3000
V
rms
T
op
Operating Ambient
Temperature
-5
55
°
C
T
stg
Storage Temperature Range
-20
70
°
C
n
efficiency
75%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VIO600-12S TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
VIPER100(022Y)
VIPER50A(022Y)
VIPER50(022Y)
VIPER100SP13TR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VIO50-06P1 功能描述:MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VIO50-12P1 功能描述:MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VIO75-06P1 功能描述:MOD IGBT DIODE SGL 600V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VIO75-12P1 功能描述:MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
VIOS800G 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:VDSL FILTER SOLUTIONS
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