參數(shù)資料
型號： VHFD29
廠商： IXYS Corporation
英文描述： Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge(VRRM為800-1600V的半橋控制單相位整流器)
中文描述： 半控制單相整流橋（反向重復峰值為800 - 1600V的半橋控制單相位整流器）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： VHFD29
2000 IXYS All rights reserved
2 - 3
VHFD 29
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
I
R
, I
D
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
T
VJ
= T
T
VJ
= 25 C
5
mA
mA
0.3
V
T
, V
F
I
T
, I
F
= 45 A; T
VJ
= 25 C
1.6
V
V
T0
r
T
For power-loss calculations only (T
VJ
= 125°C)
0.9
15
V
m
V
GT
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 125 C
1.0
1.2
65
80
50
V
V
I
GT
V
D
= 6 V;
mA
mA
mA
V
GD
I
GD
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
0.2
V
5
mA
I
L
I
G
= 0.3 A; t
= 30 s;
di
G
/dt = 0.3 A/ s;
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 125 C
150
200
100
mA
mA
mA
I
H
T
VJ
= 25 C; V
D
= 6 V; R
GK
=
100
mA
t
gd
T
VJ
= 25 C; V
D
= 0.5V
I
G
= 0.3 A; di
G
/dt = 0.3 A/ s
2
s
t
q
Q
r
T
= 125 C, I
= 15 A, t
= 300 s, V
= 100 V
di/dt = -10 A/ s, dv/dt = 20 V/ s, V
D
= 2/3 V
DRM
typ.
150
75
s
C
R
thJC
per thyristor (diode); DC current
per module
per thyristor (diode); DC current
per module
1.4
0.35
2.0
0.5
K/W
K/W
K/W
K/W
R
thJH
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.
x
for resistive load
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
I
FAV
I
FAVM
I
FRMS
I
FSM
T
= 85 C, per Diode
per diode
per diode
T
VJ
= 45 C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45 C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
V
R
= V
RRM
4
4
6
A
A
A
A
A
A
A
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
T
VJ
= T
T
VJ
= 25 C
100
110
85
94
50
50
36
37
I
2
t
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
mA
mA
I
R
1
0.15
V
F
I
F
= 21 A; T
VJ
= 25 C
1.83
V
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
For power-loss calculations only (T
VJ
= 125°C)
0.9
50
4.4
5.2
V
m
K/W
K/W
per diode; DC current
per diode; DC current
Field Diodes
Fig. 1 Gate trigger range
Fig. 2 Gate controlled delay time t
gd
1
10
100
1000
I
G
0.1
1
10
V
G
mA
1: I
GT
, T
VJ
= 125
°
C
2: I
GT
, T
VJ
= 25
°
C
3: I
GT
, T
VJ
= -40
°
C
V
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
I
GD
, T
VJ
= 125
°
C
4
2
1
5
6
10
100
1000
1
10
100
1000
μ
s
t
gd
T
VJ
= 25
°
C
typ.
Limit
mA
I
G
3
相關PDF資料
PDF描述
VHFD37-12IO1 Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge Including Freewheeling Diode and Field Diodes
VHK2-04F-04F VALVE VHK HAND 2/2
VHK2-10F-10F VALVE VHK HAND 2/2
VHK3-04F-04F VALVE VHK HAND 2/3
VHK3-06F-06F VALVE VHK HAND 2/3
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VHFD29-08io1 功能描述:SCR模塊 29 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VHFD29-12io1 功能描述:SCR模塊 29 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VHFD29-14io1 功能描述:SCR模塊 29 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VHFD29-16io1 功能描述:SCR模塊 29 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
VHFD37-08io1 功能描述:SCR模塊 37 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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