參數(shù)資料
型號： VDZ9.1B
廠商： Rohm CO.,LTD.
元件分類： 齊納二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 178K
代理商： VDZ9.1B
VDZ18B
Diodes
Rev.A
3/4
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
ATIO
N
:P
d(
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)
TIME:t(ms)
PRSM-TIME CHARACTERISTICS
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ZENER VOLTAGE：Vz(V)
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S
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(W
)
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
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IF=10mA
300us
time
Mounted on epoxy board
0
20
40
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0
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1
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1000
10000
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1
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100
t
PRSM
0.001
0.01
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1
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0
5
10
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30
35
40
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24
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18
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11
10
9.1
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6.8
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5.1
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4.3
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33
22
30
27
ZEN
ER
C
U
R
E
N
T
:Iz
(m
A
)
ZENER VOLTAGE:Vz(V)
Vz-Iz CHARACTERISTICS
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-0.06
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-0.02
0
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1020
3040
-5
0
5
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15
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35
40
AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃)
Pd-Ta　CHARACTERISTICS
TEM
P
.C
O
E
F
ICIEN
C
E:
γ
z(
m
V/
℃
)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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VDZT2R12B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
VDZT2R13B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100MW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
VDZT2R15B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 100MW 15V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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