參數(shù)資料
型號: V827432K24SAEX-B1
廠商: PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
封裝: LEAD FREE, DIMM-184
文件頁數(shù): 3/16頁
文件大小: 253K
代理商: V827432K24SAEX-B1
ProMOS TECHNOLOGIES
V827432K24SA
11
V827432K24SA Rev.1.0 December 2003
AC Characteristics (cont.)
Last Data-In to Read Com-
mand
tDRL
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Auto Precharge Write Recov-
ery + Precharge Time
tDAL
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
35
-
ns
System Clock
Cycle Time
CAS Laten-
cy = 3
tCK
5
12
5
12
5
12
-
12
-
12
-
12
-
12
ns
CAS Laten-
cy = 2.5
5
12
6
12
6
12
6
12
7
12
7.5
12
8
12
ns
CAS Laten-
cy = 2
7.5
12
7.5
12
7.5
12
7.5
12
7.5
12
10
12
10
12
ns
Clock High Level Width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45 0.55 CLK
Clock Low Level Width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45
0.55
0.45 0.55 CLK
Data-Out edge to Clock edge
Skew
tAC
-0.65
0.65 -0.65
0.65
-0.65 0.65
-0.75
0.75 -0.75
0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Clock edge
Skew
tDQSCK -0.60 0.60 -0.60 0.60 -0.60 0.60 -0.75 0.75 -0.75 0.75
-0.75
0.75
-0.8
0.8
ns
DQS-Out edge to Data-Out
edge Skew
tDQSQ
-
0.40
-
0.40
-
0.40
-
0.45
-
0.5
-
0.5
-
0.6
ns
Data-Out hold time from
DQS
tQH
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75ns
-
tHPmin
-
0.75n
s
-
ns
1
Clock Half Period
tHP
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
tCH/L
min
-
ns
1
Input Setup Time (fast slew
rate)
tIS
0.6
-
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,
Input Hold Time (fast slew
rate)
tIH
0.6
-
0.6
-
0.6
-
0.75
-
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns 2,3,5,
6
Input Setup Time (slow slew
rate)
tIS
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,
6
Input Hold Time (slow slew
rate)
tIH
0.75
-
0.75
-
0.75
-
0.8
-
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns 2,4,5,
6
Input Pulse Width
tIPW
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
2.2
-
2.2
-
ns
6
Write DQS High Level Width tDQSH 0.35
0.35
CLK
Write DQS Low Level Width tDQSL
0.35
CLK
Parameter
Sym-
bol
(DDR400A)
D0
(DDR400B)
D3
(DDR400C)
D4
(DDR333)
C0
(DDR266A)
B1
(DDR266B)
B0
(DDR200)
A1
Unit Note
Min
Max Min
Max
Min
Max Min Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V827432K24S 2.5 VOLT 32M x 72 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED ECC DDR SDRAM MODULE
V85ECADBFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85ECBDAFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85ECBDBFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
V85EDBCAFREQ VCXO, CLOCK, 1.5 MHz - 200 MHz, HCMOS OUTPUT
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V82MA3A 功能描述:壓敏電阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel
V82MA3B 功能描述:壓敏電阻 82V 40A 120pF RoHS:否 制造商:EPCOS 產(chǎn)品:MLV 電壓額定值 DC:22 V 電壓額定值 AC:17 V 鉗位電壓:50 V 直徑: 峰值浪涌電流:30 A 浪涌能量額定值:75 mJ 電容:74.2 pF 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 安裝:SMD/SMT 封裝:Reel