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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V62C31162048 |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 128K x 16 Static RAM(128Kx16靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128K的× 16靜態(tài)RAM（128Kx16靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | V62C31162048 |
6
V62C31162048 Rev. 0.3 February 1999
MOSEL V ITELIC
V62C31162048
AC Electrical Characteristics
(over all temperature ranges)
Read Cycle
Write Cycle
Parameter
Name
Parameter
-35
-70
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RC
Read Cycle Time
35
—
70
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
35
—
70
ns
t
ACS
Chip Enable Access Time
—
35
—
70
ns
t
BA
UBE, LBE Access Time
—
10
—
35
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
—
10
—
35
ns
t
CLZ
Chip Enable to Output in Low Z
3
—
10
—
ns
t
BLZ
UBE, LBE to Output in Low Z
3
—
10
—
ns
t
OLZ
Output Enable to Output in Low Z
5
—
5
—
ns
t
CHZ
Chip Disable to Output in High Z
0
10
0
25
ns
t
OHZ
Output Disable to Output in High Z
0
10
0
25
ns
t
BHZ
UBE, LBE to Output in High Z
0
10
0
15
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
3
—
3
—
ns
Parameter
Name
Parameter
-35
-70
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
t
WC
Write Cycle Time
35
—
70
—
ns
t
CW
Chip Enable to End of Write
25
—
60
—
ns
t
AS
Address Setup Time
0
—
0
—
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
25
—
60
—
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
—
50
—
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
—
0
—
ns
t
WHZ
Write to Output High-Z
0
10
0
25
ns
t
WLZ
Write to Output Low Z
3
—
5
—
ns
t
DW
Data Setup to End of Write
20
—
30
—
ns
t
DH
Data Hold from End of Write
0
—
0
—
ns
t
BW
UBE, LBE to End of Write
20
—
30
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| V62C3161024L-70T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM |
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