參數(shù)資料
型號(hào)： V62C2184096
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 512K X 8, CMOS STATIC RAM
中文描述： 為512k × 8，的CMOS靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 49K
代理商： V62C2184096
MOSEL VITELIC
V62C2184096
5
V62C2184096 Rev. 1.5 June 2000
Data Retention Characteristics
NOTES:
1.
2.
t
RC
= Read Cycle Time
T
A
= +25
°
C.
Low V
CC
Data Retention Waveform (1) (CE
1
Controlled)
Key to Switching Waveforms
Symbol
Parameter
Power
Min.
Typ.
(2)
Max.
Units
V
DR
V
CC
for Data Retention
CE
1
≥
V
CC
– 0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
or V
IN
≤
0.2V
1.2
—
3.0
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
1
≥
V
DR
– 0.2V, CE
2
< 0.2V, V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
or V
IN
≤
0.2V, V
DR
= 1.2V
Com’l
L
—
1
3
μ
A
LL
—
0.5
2
Ind.
L
—
—
5
LL
—
—
4
t
CDR
Chip Deselect to Data Retention Time
0
—
—
ns
t
R
Operation Recovery Time (see Retention Waveform)
t
RC(1)
—
—
ns
V
CC
Data Retention Mode
CE
1
≥
V
CC
– 0.2V
CE
1
2.0V
2.0V
2.3V
t
CDR
t
R
V
DR
≥
1.2V
2.3V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
MUST BE
STEADY
WILL BE
STEADY
MAY CHANGE
FROM H TO L
WILL BE
CHANGING
FROM H TO L
MAY CHANGE
FROM L TO H
WILL BE
CHANGING
FROM L TO H
DON'T CARE:
ANY CHANGE
PERMITTED
CHANGING:
STATE
UNKNOWN
DOES NOT
APPLY
CENTER
LINE IS HIGH
IMPEDANCE
“OFF” STATE
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PDF描述
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