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參數(shù)資料
| 型號： | V62C2162048L-100B |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM |
| 中文描述： | 128K的超低功耗× 16 CMOS SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | V62C2162048L-100B |
V62C2162048L(L)
Parameter
Sym
Unit
Note
Read Cycle Time
t
RC
35
-
45
-
ns
Address Access Time
t
AA
-
35
-
45
ns
Chip Enable Access Time
t
ACE
-
35
-
45
ns
Output Enable Access Time
t
OE
-
20
-
25
ns
Output
Hold from
Address Change
t
OH
5
-
5
-
ns
Chip Enable to Output in Low-Z
t
LZ
5
-
5
-
ns
4,5
Chip Disable to Output in High-Z
t
HZ
-
15
-
20
ns
3,4,5
Output Enable to Output in Low-Z
t
OLZ
5
-
5
-
ns
Output
Disable to
Output in High-Z
t
OHZ
-
15
-
20
ns
BLE, BHE Enable to Output in Low-Z
t
BLZ
5
-
5
-
ns
4,5
BLE, BHE Disable to Output in High-Z
t
BHZ
-
15
-
20
ns
3,4,5
BLE, BHE Access Time
t
BA
-
20
-
25
ns
Read Cycle
(9)
(V
cc
= 2.2 to 2.7V, Gnd = 0V, T
A
= 0
0
C to +70
0
C / -40
0
C to +85
0
C)
Write Cycle
(11)
(V
cc
= 2.2 to 2.7V, Gnd = 0V, T
A
= 0
0
C to +70
0
C / -40
0
C to +85
0
C)
Parameter
Sym
-45
Unit
Note
Write Cycle Time
t
WC
35
-
45
-
ns
Chip Enable to Write End
t
CW
30
-
35
-
ns
Address Setup to Write End
t
AW
30
-
35
-
ns
Address Setup Time
t
AS
0
-
0
-
ns
Write Pulse Width
t
WP
30
-
35
-
ns
Write Recovery Time
t
WR
0
-
0
-
ns
Data Valid to Write End
t
DW
20
-
25
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
0
-
ns
Write Enable to Output in High-Z
t
WHZ
-
25
-
25
ns
Output Active fromWrite End
t
OW
5
-
5
-
ns
BLE, BHE Setup to Write End
t
BW
30
-
35
-
ns
Min Max Min Max
-45
-35
7
Min Max Min Max
-35
REV. 1.
3
OCT
2001 V62C
2
1620
48
L(L)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| V62C2162048L-35T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM |
| V62C2162048L-45B | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM |
| V62C2162048L-45T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM |
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