- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄202172 > V58C2256404SHLZ4E (PROMOS TECHNOLOGIES INC) 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V58C2256404SHLZ4E |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| 封裝： | M0-233, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 10/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1125K |
| 代理商： | V58C2256404SHLZ4E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
18
V58C2256(804/404/164)SH Rev. 1.1 July 2010
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SH
Burst Stop Command
The Burst Stop command is valid only during burst read cycles and is initiated by having RAS and CAS
high with CS and WE low at the rising edge of the clock. When the Burst Stop command is issued during a
burst Read cycle, both the output data (DQ) and data strobe (DQS) go to a high impedance state after a delay
(LBST) equal to the CAS latency programmed into the device. If the Burst Stop command is issued during a
burst Write cycle, the command will be treated as a NOP command.
Read Terminated by Burst Stop Command Timing
(CAS Latency = 2, 2.5; Burst Length = 2)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
BST
NOP
Read
D0
D1
CK, CK
Command
DQS
DQ
D0
D1
DQS
DQ
CAS Latency = 2
CAS Latency = 2.5
LBST
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V58C2256404SHUR5 | 64M X 4 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256804SHLI4I | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
| V58C2256804SHLJ6E | 32M X 8 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256804SHLS6I | 32M X 8 DDR DRAM, PBGA60 |
| V58C2256804SHLT6E | 32M X 8 DDR DRAM, PDSO66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V58C2256804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
| V58C2256804SAT-5 | 制造商:Mosel Vitelic Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 8, 66 Pin, Plastic, TSSOP |
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。