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參數(shù)資料
| 型號： | V58C2256324SAH-40 |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | LEAD FREE, BGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 3/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 557K |
| 代理商： | V58C2256324SAH-40 |
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11
V58C2256324SA Rev. 1.0 November 2003
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256324SA
BankActivationCommand(ACT)
TheBankActivationcommandisinitiatedbyissuinganACTcommandattherisingedgeoftheclock.TheDDRSDRAMhasfour
independentbankswhichareselectedbythetwoBankselectAddresses(BA0,BA1).TheBankActivationcommandmustbeapplied
beforeanyReadorWriteoperationcanbeexecuted.ThedelayfromtheBankActivationcommandtothefirstreadorwritecommand
mustmeetorexceedtheminimumofRAStoCASdelaytime(tRCDRDmin.forreadcommandsandtRCDWRmin.forwritecommands).
Onceabankhasbeenactivated,itmustbeprechargedbeforeanotherBankActivatecommandcanbeappliedtothesamebank.The
minimumtimeintervalbetweeninterleavedBankActivatecommands(BankAtoBankBandviceversa)istheBanktoBankactivation
delaytime(tRRDmin).
ActivatetoReadorWriteCommandTiming(onebank)
ActivateBankAtoActivateBankBTiming
Clk
Command
tRCDWRforwrite
BankA
ACT
tRCDRDforread
tRC
Addresses
RowAdd.
READ
WRITE
or
BankA
Col.Add.
BankA
PRE
NOP
ACT
BankA
RowAdd.
Clk
Command
BankA
ACT
tRRD
Addresses
RowAdd.
NOP
ACT
BankB
RowAdd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V59C1512404QBLF3I | 128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| V5A010CB3H | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.6A, 125VDC, 4.4mm, PANEL MOUNT |
| V5B010FB3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 2.3mm, PANEL MOUNT |
| V5B030CB3H | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.6A, 125VDC, 4.4mm, PANEL MOUNT |
| V5B110SB | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 2.4mm, PANEL MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| V58C2256804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM |
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| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
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