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參數(shù)資料
| 型號： | V3020 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
| 中文描述： | 超低功耗1位32 kHz的時鐘 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 470K |
| 代理商： | V3020 |
6
Timing Characteristics
V = 0 V, and T = - 40 to + 85 C, unless otherwise specified
O
1)
t
Typically, t
2)
CS, RD, DS, WR and R/W rise and fall times are specified by t and t
3)
t starts from RD or CS, whichever deactivates first
4)
t
ends at WR or CS, whichever deactivates first
DW
5)
t
starts from WR or CS, whichever deactivates first
DH
6)
t
starts from WR or CS, whichever activates last and ends at WR or CS, whichever deactivates first
WC
starts from RD or CS, whichever activates last
= 5 + 0.9 C
ACC
ACC
in ns; where C
(external parasitic capacitance) is in pF
EXT
EXT
F
t
CS
t
ACC
t
W
t
R
t
F
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
WC
500
500
10
10
15
80
120
20
500
Table 4
50
100
10
10
15
50
25
10
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
60
200
200
40
50
30
300
200
200
200
Write cycle
C
LOAD
= 50pF
Chip select duration
RAM access time
Time between two transfers
2)
Rise time
2)
Fall time
Data valid to Hi-impedance
Write data settle time
Data hold time
Advance write time
Write pulse time
3)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Min.
Typ.
Max.
Max.
Unit
V
3
2 V
DD
V = 5.0 V ± 10%
Timing Waveforms
Read Timing for Intel (RD and WR Pulse) and Motorola (DS (or RD pin tied to CS) and R/W)
Fig. 7a
CS
t
CS
t
ACC
t
DF
t
W
t
R
t
F
RD / DS
WR / R/W
I/O
data valid
Write Timing for Intel (
and WR Pulse)
RD
Fig. 7b
CS
t
CS
t
W
t
WC
t
DW
t
DH
RD
WR
I/O
data valid
V3020
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V30208S | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
| V30208TSS | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
| V3021 | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
| V30218P | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
| V30218S | Ultra Low Power 1-Bit 32 kHz RTC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V30200C | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A |
| V30200C_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30200C-E3/4W | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30 Amp 200 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| V30200C-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V30202C-M3/4W | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 15A Through Hole TO-220-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TMBS? 包裝:管件 零件狀態(tài):* 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 15A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 200V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
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