- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359317 > V29C51002B (Mosel Vitelic, Corp.) High Speed 2 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速2M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V29C51002B |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | High Speed 2 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速2M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 高速2兆的5伏的CMOS快閃記憶體（200萬(wàn)位高速5V的CMOS閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | V29C51002B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
6
V29C51002T/V29C51002B Rev. 1.7 February
MOSEL V ITELIC
V29C51002T/V29C51002B
Waveforms of Read Cycle
Waveforms of WE Controlled-Program Cycle
NOTES:
1.
2.
3.
I/O
7
: The output is the complement of the data written to the device.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
CLZ
t
OH
t
AA
t
OLZ
t
DF
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
VALID DATA OUT
VALID DATA OUT
HIGH-Z
51002-09
HIGH-Z
t
WC
t
AS
PA
5555H
t
WHWH1
t
WPH
t
CS
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
OES
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O
7(1)
PD
(3)
A0H
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
3rd bus cycle
PA
(2)
t
CH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V29C51004B-70J | x8 Flash EEPROM |
| V29C51004B-70T | x8 Flash EEPROM |
| V29C51004B-90J | x8 Flash EEPROM |
| V29C51004T-90T | x8 Flash EEPROM |
| V29C51004T-90J | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V29C51002B-55J | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51002B-55P | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51002B-55T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51002B-90J | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
| V29C51002B-90P | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。