參數(shù)資料
型號(hào)： V29C31004B
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： 4 MEGABIT 524,288 x 8 BIT 3.3 VOLT CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4兆位524288 × 8位3.3伏的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大小： 68K
代理商： V29C31004B
6
V29C31004T/V29C31004B Rev. 0.3 October 2000
MOSEL V ITELIC
V29C31004T/V29C31004B
Waveforms of Read Cycle
Waveforms of WE Controlled-Program Cycle
NOTES:
1.
2.
3.
I/O
7
: The output is the complement of the data written to the device.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
CLZ
t
OH
t
AA
t
OLZ
t
DF
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
VALID DATA OUT
VALID DATA OUT
HIGH-Z
51004-09
HIGH-Z
t
WC
t
AS
PA
5555H
t
WHWH1
t
WPH
t
CS
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
OES
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O
7(1)
PD
(3)
A0H
51004-10
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
3rd bus cycle
PA
(2)
t
CH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V29C51000B 512K Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(512K位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51000T-90P 512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51001B 1 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(1M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51002B-55J 2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51002B High Speed 2 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速2M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V29C31004T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 524,288 x 8 BIT 3.3 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51000B 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51000B-45J 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51000B-45P 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51000B-45T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
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