參數(shù)資料
型號(hào)： UT7C139C55WCX
英文描述： SRAM|4KX9|CMOS| RAD HARD|QFL|68PIN|CERAMIC
中文描述： 靜態(tài)存儲(chǔ)器| 4KX9 |的CMOS | RAD數(shù)據(jù)通信硬| QFL | 68PIN |陶瓷
文件頁(yè)數(shù)： 16/21頁(yè)
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代理商： UT7C139C55WCX
16
DATA RETENTION CHARACTERISTICS (Pre-Radiation)
(T
C
= 25
°
C)
SYMBOL
Notes:
1. CE equals V
DR,
all other inputs equal V
DR
or V
SS
.
2. Guaranteed but not tested.
PARAMETER
MINIMUM
MAXIMUM
V
DD
@
2.5V
UNIT
V
DR
V
DD
for data retention
2.5
--
V
I
DDR1
Data retention current
--
400
μ
A
t
EFR
1,2
Chip deselect to data retention time
0
ns
t
R
1,2
Operation recovery time
t
WC
or t
RC
ns
V
DD
CE
DATA RETENTION MODE
t
R
4.5V
4.5V
V
DR
2.5V
Figure 6. Low V
DD
Data Retention Waveform
t
EFR
V
DR
V
IN
< 1.5V CMOS
Notes:
1. 50pF including scope probe and test socket.
2. Measurement of data output occurs at the low to high or high to low transition mid-point
(CMOS input = V
DD
/2).
90%
Figure 7. AC Test Loads and Input Waveforms
Input Pulses
10%
< 5ns
< 5ns
460 ohms
V
DD
/2
50pF
CMOS
0.5V
V
DD
-0.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UT7C139C55WPA x9 Dual-Port SRAM
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UT7C139C55WPX x9 Dual-Port SRAM
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參數(shù)描述
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