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參數(shù)資料
| 型號： | uPSD3234B-40U6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Flash Programmable System Devices with 8032 Microcontroller Core |
| 中文描述： | 閃存可編程系統(tǒng)設備與8032微控制器內(nèi)核 |
| 文件頁數(shù)： | 160/170頁 |
| 文件大?。?/td> | 2717K |
| 代理商： | UPSD3234B-40U6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁當前第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁
uPSD3234A, uPSD3234BV, uPSD3233B, uPSD3233BV
160/170
Figure 85. Reset (RESET) Timing
Table 140. Reset (RESET) Timing (5V Devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm RESET aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Table 141. Reset (RESET) Timing (3V Devices)
Note: 1. Reset (RESET) does not reset Flash memory Program or Erase cycles.
2. Warm RESET aborts Flash memory Program or Erase cycles, and puts the device in READ Mode.
Table 142. V
STBYON
Definitions Timing (5V Devices)
Symbol
Note: 1. V
STBYON
timing is measured at V
CC
ramp rate of 2ms.
Table 143. V
STBYON
Timing (3V Devices)
Symbol
Note: 1. V
STBYON
timing is measured at V
CC
ramp rate of 2ms.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
(1)
150
ns
t
NLNH–PO
Power-on Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm RESET
(2)
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
120
ns
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
t
NLNH
RESET Active Low Time
(1)
300
ns
t
NLNH–PO
Power-on Reset Active Low Time
1
ms
t
NLNH–A
Warm RESET
(2)
25
μ
s
t
OPR
RESET High to Operational Device
300
ns
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
BVBH
V
STBY
Detection to V
STBYON
Output High
(Note
1)
20
μs
t
BXBL
V
STBY
Off Detection to V
STBYON
Output
Low
(Note
1)
20
μs
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
t
BVBH
V
STBY
Detection to V
STBYON
Output High
(Note
1)
20
μs
t
BXBL
V
STBY
Off Detection to V
STBYON
Output
Low
(Note
1)
20
μs
tNLNH-PO
Power-On Reset
tOPR
AI02866b
RESET
tNLNH
tNLNH-A
Warm Reset
tOPR
V
CC
V
CC
(min)
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PDF描述 |
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