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參數(shù)資料
| 型號： | UPD45128163G5-A10B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 22/92頁 |
| 文件大?。?/td> | 1107K |
| 代理商： | UPD45128163G5-A10B |
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Data Sheet M12650EJBV0DS00
22
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
7. Mode Register
WT = 1
1
2
4
8
R
R
R
R
1
0
0
0
0
JEDEC Standard Test Set (refresh counter test)
BL
WT
LTMODE
0
0
1
x
x
Burst Read and Single Write
(for Write Through Cache)
0
1
Use in future
V
V
V
V
V
V
1
V
1
x
x
x
Vender Specific
BL
WT
LTMODE
0
0
0
0
0
Mode Register Set
V = Valid
x = Don’t care
WT = 0
1
2
4
8
R
R
R
Full page
Bits2-0
000
001
010
011
100
101
110
111
Burst length
Sequential
Interleave
0
1
Wrap type
/CAS latency
R
R
2
3
R
R
R
R
Bits6-4
000
001
010
011
100
101
110
111
Latency
mode
0
0
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A7
A6
A8
A9
A10
A11
BA1
(A12)
BA0
(A13)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A7
A6
A8
A9
A10
A11
BA1
(A12)
BA0
(A13)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A7
A6
A8
A9
A10
A11
BA1
(A12)
BA0
(A13)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A7
A6
A8
A9
A10
A11
BA1
(A12)
BA0
(A13)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A7
A6
A8
A9
A10
A11
BA1
(A12)
BA0
(A13)
x
x
x
x
0
0
Remark
R : Reserved
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
A0 - A11,
BA0(13), BA1(A12)
Mode Register Set
Mode Register Set Timing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A10B-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A75 | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128163G5-A75-9JF | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128441G5-A10B | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD45128841G5-A10B | 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| UPD45128841G5-A75-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4516161AG5A109NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD4516161AG5-A10-9NF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4528BC | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
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