參數(shù)資料
型號(hào)： UPD45128163-E
廠(chǎng)商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
中文描述： 128兆位同步DRAM 4銀行，LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 29/92頁(yè)
文件大小： 1107K
代理商： UPD45128163-E
Data Sheet M12650EJBV0DS00
29
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
11.3 Write to Read Command Interval
Write command and Read command interval is also 1 cycle.
Only the write data before Read command will be written.
The data bus must be Hi-Z at least one cycle prior to the first D
OUT
.
QB1
QB2
QB3
QB4
WRITE A
Hi-Z
QB1
QB2
QB3
QB4
WRITE A
Hi-Z
DQ
Command
DQ
Command
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
DA1
DA1
READ B
READ B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPD45128163-I 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)
UPD45128163-I-E 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)
UPD45128163G5 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
UPD45128163-T 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)
UPD45128163G5-A75-9JF-E 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPD45128163G5 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM
UPD45128163G5-A75-9JF 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
UPD45128841G5-A75-9JF 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 16M x 8, 54 Pin, Plastic, TSOP
UPD4516161AG5A109NF 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:
UPD4516161AG5-A10-9NF 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP
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