參數(shù)資料
型號： UPA895TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： UPA895TD-T3
UPA895TD NONLINEAR MODEL
UPA895TD
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 3.0 GHz
V
CE
=0.5 V to 3 V, I
C
= 1 mA to 20 mA
4/03
(1) Gummel-Poon Model
Parameters
Q1
Q2
Parameters
Q1
Q2
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
137e-18
166
0.9871
20.4
50
80.4e-15
2.4
28.7
0.9889
2.7
0.021
532e-18
1.28
0.45
4
1
0
1.7
2.4e-12
0.87
0.34
0.65e-12
0.52
137e-18
166
0.9871
20.4
50
80.4e-15
2.4
28.7
0.9889
2.7
0.021
532e-18
1.28
0.45
4
1
0
1.7
2.4e-12
0.87
0.34
0.65e-12
0.52
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF*
AF*
0.14
0.5
0
0.75
0
0.55
18e-12
0.1
2
0.03
0
1.0e-9
1.11
0
3
0
1
0.14
0.5
0
0.75
0
0.55
18e-12
0.1
2
0.03
0
1.0e-9
1.11
0
3
0
1.00
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
AF and KF are 1/f noise parameters and are bias dependent.
The appropriate values for the 1/f noise parameters (AF and KF)
shall be chosen from the table below, according to the desired
current range.
For a better understanding on AF and KF parameters,
please refer to AN1026.
Ic = 5 mA
4.547e-15
1.4
Ic = 10 mA
855e-12
2.551
Ic = 15 mA
1.73e-9
2.626
KF
AF
* Set to default value.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1510 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV-E1 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1510GV 3 GHz INPUT DIVIDE BY 4 PRESCALER IC FOR DBS TUNERS
UPB1512TU CONN PLUG CABLE FEMALE 8POS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA895TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Dual High Freq RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA895TS-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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