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參數(shù)資料
| 型號： | UPA891TD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|叩| 5.5VV（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 363VAR |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | UPA891TD |
Data Sheet P15570EJ1V0DS
2
μ
PA891TC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0 mA
600
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
BE
= 1 V, I
C
= 0 mA
600
nA
DC Current Gain
h
FE
Note 1
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
100
160
Gain Bandwidth Product (1)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.5
5.0
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
5.5
6.5
GHz
Insertion Power Gain (1)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz
3.5
4.0
dB
Insertion Power Gain (2)
S
21e
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
4.5
5.5
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz,
Z
S
= Z
opt
1.5
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
C
re
Note 2
V
CB
= 0.5 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
0.8
1.0
pF
Notes 1.
Pulse measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when the emitter grounded
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
4B
h
FE
Value
100 to 160
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA891TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA892TC | Discrete |
| UPA892TD | Discrete |
| UPA892TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3.3V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA893TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA891TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA892TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA892TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA892TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3.3V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA893TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-363VAR |
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