參數(shù)資料
型號: UPA863TC
英文描述: Discrete
中文描述: 離散
文件頁數(shù): 27/28頁
文件大小: 142K
代理商: UPA863TC
Data Sheet P15734EJ1V0DS
27
μ
PA863TC
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Collector (Q1)
2. Emitter (Q1)
3. Collector (Q2)
4. Base (Q2)
5. Emitter (Q2)
6. Base (Q1)
0
0
+
0
0
0
0
+
1
3
2
1
4
5
6
1.10±0.1
1.50±0.1
5
(Top View)
C1
E1
C2
B1
E2
B2
1
2
3
6
5
4
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA862TC Discrete
UPA860TC Discrete
UPA860TD Discrete
UPA861TC Discrete
UPA863TD Discrete
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA863TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA863TD-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA863TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA863TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA871TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP