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參數(shù)資料
| 型號： | UPA862TD |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | UPA862TD |
UPA862TD
SCHEMATIC
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 3.0 GHz
V
CE
= 0.5 V to 2.5 V, I
C
= 1 mA to 20 mA
08/03
Life Support Applications
These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably
be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and
agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.
Pin_1
Pin_2
Pin_3
Pin_4
Pin_5
Pin_6
0.1 pF
CCEPKG2
CCBPKG2
0.5 nH
0.07 pF
CCB2
0.01 pF
CCE1
0.28 pF
0.6 nH
1.1 nH
0.01 nH
0.6 nH
Q1
CCBPKG1
CCB1
LE1
LB1
LB
0.01 nH
LE
0.01 nH
LB
C_B2E2
0.01 pF
C_B1B2
0.01 pF
LE2
LB2
C_C1B2
0.03 pF
LC
0.01 nH
1.2 nH
LC
0.01 nH
LE
0.01 nH
C_E1C2
0.05 pF
C_C1E1
0.05 pF
C_E1B2
0.1 pF
0.03 pF
0.1 pF
CCE2
Q2
0.25 pF
LC1
0.8 nH
LC2
A Business Partner of NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
08/04/2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPB1009K | NECs LOW POWER GPS RF RECEIVER BIPOLAR ANALOG + INTEGRATED CIRCUIT |
| UPB1009K-E1 | NECs LOW POWER GPS RF RECEIVER BIPOLAR ANALOG + INTEGRATED CIRCUIT |
| UPB1502GR(1)-E1 | Prescaler/Frequency Divider |
| UPB1502GR-E1 | 1.7 GHz/ 2.0 GHz LOW-POWER TWO-MODULUS PRESCALER DIVIDED-BY-64/65, 128/129 |
| UPB1502GR1 | 1.7 GHz/ 2.0 GHz LOW-POWER TWO-MODULUS PRESCALER DIVIDED-BY-64/65, 128/129 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA862TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA863TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
| UPA863TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
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