參數(shù)資料
型號(hào)： UPA862TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： UPA862TD-T3
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
Q1 Q2
9
6
2
30
180
210 Total
150 150
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
1
V
V
V
mA
mW
T
J
Junction Temperature
°
C
T
STG
Storage Temperature
°
C
9
5.5
1.5
100
192
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1,2
(T
A
= 25
°
C)
Note: 1. Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
2. Mounted on 1.08cm
2
x 1.0 mm(t) glass epoxy PCB
UPA862TD
-65 to +150
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
UPA862TD-T3
QUANTITY
10K Pcs./Reel
PACKAGING
Tape & Reel
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
T
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
R
r
(
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
R
r
(
REVERSE TRANSFR CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
300
250
200
180
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Q2
Q1
2 Elements in total
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
x 1.0 mm (t) )
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
Q1
Q2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA862TD NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
UPB1009K NECs LOW POWER GPS RF RECEIVER BIPOLAR ANALOG + INTEGRATED CIRCUIT
UPB1009K-E1 NECs LOW POWER GPS RF RECEIVER BIPOLAR ANALOG + INTEGRATED CIRCUIT
UPB1502GR(1)-E1 Prescaler/Frequency Divider
UPB1502GR-E1 1.7 GHz/ 2.0 GHz LOW-POWER TWO-MODULUS PRESCALER DIVIDED-BY-64/65, 128/129
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA862TD-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA863TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA863TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA863TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn AMP Oscilltr Twn Trnst RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA863TD-T3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
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