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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA862TC |
| 英文描述： | Discrete |
| 中文描述： | 離散 |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | UPA862TC |
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Data Sheet P15734EJ1V0DS
14
μ
PA863TC
Q1
Q2
8
2
4
6
0
16
4
8
12
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 2 GHz
NF
G
a
8
2
4
6
0
16
4
8
12
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 1.5 GHz
NF
G
a
8
2
4
6
0
16
4
8
12
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
= 2 V
f = 1 GHz
NF
G
a
V
CE
= 2 V
f = 1.5 GHz
5
4
3
2
1
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
NF
G
a
5
4
3
2
1
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 1 GHz
G
a
NF
5
4
3
2
1
0
20
16
12
4
8
0
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
N
A
a
V
CE
= 2 V
f = 2 GHz
NF
G
a
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA860TC | Discrete |
| UPA860TD | Discrete |
| UPA861TC | Discrete |
| UPA863TD | Discrete |
| UPA863TD-T3 | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA862TD | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA862TD-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| UPA863TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete |
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