參數(shù)資料
型號(hào)： UPA860TC
英文描述： Discrete
中文描述： 離散
文件頁數(shù)： 16/28頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： UPA860TC
Data Sheet P15734EJ1V0DS
16
μ
PA863TC
V
CE
= 1 V, I
C
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O
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Frequency
(GHz)
S
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0.338
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA860TD Discrete
UPA861TC Discrete
UPA863TD Discrete
UPA863TD-T3 BJT
UPA871TD TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA860TD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA861TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
UPA861TD 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA861TD-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon RF Twin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA861TD-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.03A/0.035A 6-Pin T/R
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