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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA841TD |
| 英文描述： | Discrete |
| 中文描述： | 離散 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/36頁(yè) |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | UPA841TD |
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Data Sheet P15201EJ1V0DS
4
μ
PA841TC
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T
A
= +25
°
C)
300
250
230
180
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
T
t
Ambient Temperature T
A
(C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
×
1.0 mm (t) )
2 Elements in total
Q2
Q1
Q1
Q2
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
f = 1 MHz
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPA841TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA843TD | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 210MA I(C) | TSOP |
| UPA843TD-T3 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 210MA I(C) | TSOP |
| UPA844TC | Discrete |
| UPA844TC-T1 | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 3.3V V(BR)CEO | 35MA I(C) | TSOP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPA841TD(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPA841TD-T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 5.5V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-363VAR |
| UPA843TC | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA843TC-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD |
| UPA843TD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 210MA I(C) | TSOP |
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