參數(shù)資料
型號： UPA814TC-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管，配有2個2SC5195平引腳6引腳薄型超超級MINIMOLD
文件頁數(shù)： 2/20頁
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代理商： UPA814TC-T1
μ
PA814TC
2
Data Sheet P14551EJ1V0DS00
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 5 V, I
E
= 0
–
–
0.1
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
–
–
0.1
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA
Note 1
80
–
160
Gain Bandwidth Product (1)
f
T
V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
4.0
4.5
–
GHz
Gain Bandwidth Product (2)
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
–
9.0
–
GHz
Feedback Capacitance
C
re
V
CB
= 1 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
–
0.75
0.85
pF
Insertion Power Gain (1)
|S
21e
|
2
V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
2.5
3.5
–
dB
Insertion Power Gain (2)
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
–
6.5
–
dB
Noise Figure (1)
NF
V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
–
1.7
2.5
dB
Noise Figure (2)
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 2 GHz
–
1.5
–
dB
Notes 1.
Pulse Measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %
2.
Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
KB
Marking
87
h
FE
Value
80 to 160
相關PDF資料
PDF描述
UPA822TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA822TF-T1 BJT
UPA826TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-PIN THIN -TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA826TF NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
UPA826TF-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
UPA814TF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA814TF-T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
UPA814TKB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 6V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
UPA814T-T1 功能描述:TRANS NPN HF FT=9GHZ SOT-363 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
UPA814T-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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