參數(shù)資料
型號： UPA810
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述： NPN硅外延晶體管，配有2個2SC5006平引腳6引腳薄型超超級MINIMOLD
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： UPA810
μ
PA810TC
Data Sheet P14550EJ1V0DS00
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs. BASE TO
EMITTER VOLTAGE
0
10
20
0
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
0
100
200
230
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
1
10
100
10
100
1 000
0.1
1
10
100
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
1
10
100
2 Elements in total
Free Air
Per
Element
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
V
CE
= 3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA810TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA810TF-T1 BJT
UPA810TC NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA810TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA812 HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA810T 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA810T-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
UPA810TC 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA810TC-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin Case TC T/R
UPA810TF 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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