型號: | UPA650 |
英文描述: | UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
中文描述: | UPA650TT數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2002] |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 75K |
代理商: | UPA650 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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UPA653 | UPA653TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
UPA651 | UPA651TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
UPA652 | UPA652TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002] |
UPA650TT | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
UPA814TF | BJT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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UPA650TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
UPA650TT-E1-A | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
UPA650TT-E2-A | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6-WSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
UPA651 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UPA651TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
UPA651TT | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |